如图所示,电源的内阻r=2.0Ω,电阻R=8.0Ω,开关闭合后,电流表示数I=0.30A.则电源的电动势E=____V;在t=50s时间内,电阻R产生的焦耳热Q=____J.
读中心为南极的示意图,若阴影部分为7月6日,非阴影部分为7月7日,那么( )
写出近义词
仔细─____ 寻找─____ 探出—____ 害羞—____
氮化硅膜与二氧化硅膜相比较具有表面化学性能稳定等优点,故氮化硅膜可用于半导体工业.为生成氮化硅膜,可以用NH3和SiH4(硅烷)在一定条件下反应并在600℃的加热基板上生成氮化硅膜:
3SiH4+4NH3Si3N4+12H2
下列利用电磁感应现象工作的用电器是 ( )