工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl
3:Si+3HCl=SiHCl
3+H
2,SiHCl
3与过量的H
2在1000℃~1100℃反应制得纯硅。
有关物质的物理常数见下表:
物质
| SiCl4
| BCl3
| AlCl3
| FeCl3
| SiHCl3
| PCl5
|
沸点/℃
| 57.7
| 12.8
| —
| 315
| 33.0
| —
|
熔点/℃
| -70.0
| -107.2
| —
| —
| -126.5
| —
|
升华温度/℃
| —
| —
| 180
| 300
|
| 162
|
(1)粗硅与HCl反应完全后,经冷凝得到的SiHCl
3中含有少量SiCl
4,提纯SiHCl
3可采用
___________的方法
(2)实验室也可用SiHCl
3与过量干燥的H
2反应制取纯硅,装置如下图所示(加热和夹持装置略去):
①装置B中的试剂是___________,装置C需水浴加热,目的是____________________。
②反应一段时间后,装置D中可观察到有晶体硅生成,装置D不能采用普通玻璃管的原因是_____________。