锗是一种重要的半导体材料。工业上用精硫锗矿（主要成分为GeS₂，杂质不反应）制取Ge，其工艺流程如图所示：

回答下列问题：
（1）开始将精硫锗矿粉碎的目的是______。
（2）高温焙烧精硫锗矿的化学方程式为______。
（3）热还原真空挥发炉内反应的化学方程式为______。
（4）在沉锗过程中，当温度为90℃，pH为14时，加料量（CaCl₂/Ge质量比）对沉锗的影响如表所示，选择最佳加料量为______（填“10-15”“15-20”或“20-25”），理由是______。

编号	加料量（CaCl2/Ge）	母液体积 （mL）	过滤后液含锗（mg/L）	过滤后液 pH	锗沉淀率（%）
1	10	500	76	8	93.67
2	15	500	20	8	98.15
3	20	500	2	11	99.78
4	25	500	1.5	12	99.85

 
（5）某温度时，沉锗得到的CaGeO₃在水中的沉淀溶解平衡曲线如图所示。下列说法错误的是______。

a．n点与p点对应的K_sp相等
b．通过蒸发可以使溶液由q点变到p点
c．q点无CaGeO₃沉淀生成
d．加入Na₂GeO₃可以使溶液由n点变到m点
（6）CaGeO₃与强酸反应可得到H₂GeO₃。0.l mol•L^－1的NaHGeO₃溶液pH_____（填“＞”“=”或“＜”）7，判断理由是______（通过计算比较）。（25℃时，H₂GeO₃的K_a1=1.7×10^－9，K_a2=1.9×10^－13。）