半导体工业需要高纯硅，粗硅中含有SiO₂、Fe₂O₃、CuO、C等杂质，提纯硅的方法比较多，其中三氯氢硅(有一定毒性)氢还原法和四氯化硅氢还原法应用较为广泛，下面是实验室模拟工业上三氯氢硅氢还原法的基本原理：

已知：①Si+3HCl SiHCl₃+H₂(主要反应)
Si+4HClSiCl₄+2H₂(次要反应)
2NaCl+H₂SO₄(浓)Na₂SO₄+2HCl↑
②典型硅的重要化合物的部分性质如下表：

	熔点(℃)	沸点(℃)	溶解性
SiHCl3	-127	33	易溶于多数有机溶剂
SiCl4	-23	77	易溶于多数有机溶剂

 
(1)粗硅在提纯前，需要进行酸、碱预处理，其目的是___________________________________。
(2)下列装置在实验室可用于制备HCl气体的是_____(填字母代号)。

(3)在1100～1200℃条件下，利用图B在石英管中可以获得硅，写出该反应的方程式_______；其烧杯中水的作用是__________________________；该装置使用石英管而不是普通玻璃管的原因是_________。
(4)三氯氢硅氢还原法用 SiHCl₃在图B中制硅，不足之处有_______________(任意回答一点即可)。
(5)SiCl₄与氢气反应也能得到硅，但反应所需温度不同，在工业上往往将三氯氢硅中混入的SiCl₄分离后再与氢气反应，你认为最好的分离方法是______________。
(6)工业上如果用四氯化硅氢还原法制硅，其原理如下：该方法与用三氯氢硅氢还原法比较，其缺点至少有两处，分别是_________________。