单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450~500℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

相关信息如下:①四氯化硅遇水极易水解;
②硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;
③有关物质的物理常数见下表:
物质
| SiCl4
| BCl3
| AlCl3
| FeCl3
| PCl5
|
沸点/℃
| 57.7
| 12.8
| —
| 315
| —
|
熔点/℃
| -70.0
| -107.2
| —
| —
| —
|
升华温度/℃
| —
| —
| 180
| 300
| 162
|
请回答下列问题:
(1)写出装置A中发生反应的离子方程式_____________________________________。
(2)装置A中g管的作用是______________;装置C中的试剂是____________;
装置E中的h瓶需要冷却的理由是__________________________________。
(3)装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的元素是_____________(填写元素符号)。
(4)为了分析残留物中铁元素的含量,先将残留物预处理,使铁元素还原成Fe
2+,再用KMnO
4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定,反应的离子方程式是:5Fe
2++MnO
4-+8H
+=5Fe
3++Mn
2++4H
2O滴定前是否要滴加指示剂?___(填“是”或“否”),请说明理由_________________