题干

Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题:

(1)下列说法正确的是__________(填序号)
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>GaD.原子半径 As>Ga
(2)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的方程式为_____________________________;
(3)AsH3空间形状为___________;已知(CH33 Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________;
Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。
(4)请解释金属铜能导电的原因_______________________, Cu2+的核外电子排布式为_______________________。
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH34]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有_________和_________。
上一题 下一题 0.64难度 填空题 更新时间:2011-03-25 04:31:10

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