【选修3——物质结构与性质】ⅢA、VA的某些单质及其化合物常用于制作太阳能电池、半导体材料等。
（1）基态时As原子核外的电子排布式为   。
（2）硒、溴与砷同周期，三种元素的第一电离能从大到小顺序为  （用元素符号表示）。
（3）气态SeO₃分子的立体结构为    ，与SeO₃互为等电子体的一种离子为    （填化学式）。
（4）硼元素具有缺电子性，因而其化合物往往具有加和性。
①硼酸（H₃BO₃）是一元弱酸，写出硼酸在水溶液中的电离方程式     。
②硼酸（H₃BO₃）是一种具有片层结构的白色晶体，层内的H₃BO₃分子间通过氢键相连（如图）。含1mol H₃BO₃的晶体中有    mol氢键，    molσ键。H₃BO₃中B的原子杂化物类型为 。

（5）硅的某种单质的晶胞如右图所示。GaN晶体与该硅晶体相似。则GaN晶体中，每个Ga原子与 个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间结构为 。若该硅晶体的密度为ρg·cm^-3，阿伏伽德罗常数值为N_A，则晶体中最近的两个硅原子之间的距离为 cm(用代数式表示即可)