已知A、B、C、D、E都是周期表中的前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E。其中B、D、E原子最外层电子层的P能级(轨道)上的电子处于半充满状态。通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右图所示。原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一类半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。
试回答下列问题:

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为:
。
(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序:
(用元素符号表示)。
(3)B元素的单质分子中有
个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为
(任写一种)。
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取
杂化,其晶胞中微粒间的作用力为
。
(5) EH
3分子的空间构型为
,其沸点与BH
3相比
(填“高”或“低”),原因是
(6)向CuSO
4溶液中逐滴加入BH
3的水溶液,先生成蓝色沉淀,后沉淀逐渐溶解得到深蓝色的透明溶液。请写出沉淀溶解的离子方程式
.