以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为__________________，核外电子占据最高能层符号为________。
（2）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。
（3）下列说法正确的是________
A．第一电离能：As < Ga B．砷和镓都属于p区元素
C．电负性：As < Ga   D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（4）① 砷化镓是将(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：______________________________。
②反应物AsH₃分子的几何构型为_________,(CH₃)₃Ga中镓原子杂化方式为___。
（5）实验测得AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：___________________________。
（6）下图是氮化镓的晶胞模型，氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为d g/cm³。列式计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=______cm。