Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为__________________________。
(2)下列说法正确的是____________(选填序号)。
A.砷和镓都属于p区元素 | B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体 |
C.电负性:As>Ga | D.第一电离能Ga>As |
(3)GaAs是由(CH
3)
3Ga和AsH
3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是__(填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH
3)
3Ga中镓原子的杂化方式为________。
Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:

(1)晶体中Ca
2+的配位数为_____________。
(2)已知Ca
2+的半径为a cm,O
2-的半径为b cm,N
A代表阿伏加德罗常数,
该晶体的密度为_________g/cm
3。(用含a、b、N
A的代数式表示)