镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为__________，基态As原子核外有__________个未成对电子。
（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol^-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__________和+3。砷的电负性比镓__________(填“大”或“小”)。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________________________。

镓的卤化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔点/℃	77.75	122.3	211.5
沸点/℃	201.2	279	346

 
GaF₃的熔点超过1000℃，可能的原因是_______________________________________。
（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为__________，晶体的密度为__________(设N_A 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm^-3。