砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl₃分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是_______________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。