砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
(1)Ga 基态原子核外电子排布式为____，As 基态原子核外有_________个未成对电子。
(2)Ga、As、Se 的第一电离能中大到小的顺序是__________，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是____。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_____。

镓的卤化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔点/℃	77.75	122.3	211.5
沸点/℃	201.2	279	346

 
GaF₃的熔点超过 1000 ℃，可能的原因是_____________。
(4)二水合草酸镓的结构如图 1 所示，其中镓原子的配位数为_____，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为____。

(5)砷化镓的立方晶胞结构如图 2 所示，晶胞参数为 a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为_____g/ cm³(设 N_A为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。