ⅢA、VA族元素组成的化合物AlN、AlP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料。回答下列问题：
（1）As基态原子的电子占据了___________个能层，最高能级的电子排布式为___________；和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有_____________种。
（2）元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是__________（填元素符号）；Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是______________。
（3）已知AlN、AlP等半导体材料的晶体结构与单晶硅相似，则Al原子的杂化形式为________；晶体结构中存在的化学键有____________（填标号）。

A．离子键

B．键

C．键

D．配位键

（4）砷化镓（GaAs）是继硅晶体之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料，它能直接将电能转变为光能，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知CaAs的晶胞结构如图，晶胞参数=0.565nm，则Ga原子与As原子的核间距为____________pm（列式表示）。