2018年7月5日《科学》杂志在线报道：美国研究人员合成一种新的具有超高热导率半导体材料一砷化硼(BAs)。回答下列问题：
(1)基态As原子价层电子的电子排布图(轨道表达式)为_____________，基态B原子核外电子占据最高能级的电子云轮廓图为_____________。
(2)通过反应4BI₃(g)+As₄(g)4BAs(s，晶体)十6I₂(g)可制备BAs晶体，As₄结构如图所示。

①BI₃分子空间构型为____________，其中B原子杂化方式是____________________。
②As₄分子中键角为____________度，分子中成键电子对与孤电子对数目之比为________________。

(3)晶态单质硼有多种结构，它们都以B₁₂[结构如图所示]为基本的结构单元。B₁₂结构单元为正_________面体。单质硼的熔点为2180℃，它属于_____________晶体。

(4)BAs晶胞结构如图所示，已知晶胞参数为0.4777nm，阿伏加德罗常数的值为N_A。As原子的配位数为___________；BAs品体的密度为__________g·cm^-1(列出计算式)。