题干
2018年7月5日《科学》杂志在线报道：合成一种新的具有超高热导率半导体材料——砷化硼（BAs）。通过反应4BI3(g) + As4(g)
4BAs(s，晶体) + 6I2(g)可制备BAs晶体。下列说法错误的是（）
图（a） 图（b） 图（c）
4BAs(s，晶体) + 6I2(g)可制备BAs晶体。下列说法错误的是（） 图（a） 图（b） 图（c）
| A．图（a）表示As4结构，As4分子中成键电子对与孤电子对数目之比为3:1 |
| B．图（b）表示晶态单质硼的B12基本结构单元，该基本单元为正20面体 |
| C．图（b）所示晶态单质硼的熔点为2180℃，它属于原子晶体 |
| D．图（c）表示BAs晶胞结构，As原子的配位数为4 |
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