题干

Ⅰ.砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga________As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为_____________,其中As的杂化轨道类型为_________。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是____________。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。

Ⅱ.醋酸铜可合成复合材料石墨烯Cu,其制备原料为CuSO4、NH3·H2O和醋酸等。
(1)写出一种与SO42-互为等电子体的分子__________。
(2)二聚醋酸铜的结构示意图如图所示,Cu2+的配位数为___________。

(3)石墨烯可转化为富勒烯(C60),C60和K能形成新型化合物,其晶胞如图所示,晶胞参数为a nm该化合物中K原子和C60分子的个数比为______,该晶体的密度ρ=______g/cm3(列出计算式)。
上一题 下一题 0.4难度 综合题 更新时间:2019-06-20 05:06:46

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