第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_______，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为______。与CN^-互为等电子体的分子为__________。
(3)NaN₃是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________，NF₃的空间构型为_________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，分析其变化原因_____________。

	GaN	GaP	GaAs
熔点	1700℃	1480℃	1238℃

 
(5)GaN晶胞结构如图所示：晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_________；