砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
（1）Ga基态原子核外电子排布式为______________，As基态原子核外有______个未成对电子。
（2）Ga、As、Se的第一电离能由打到小的顺序是_________________Ga、As、Se的电负性由打到小的顺序是_________________。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及其原因：___________________。

镓的卤化物	GaCl3	GaBr3	GaI3
熔点/℃	77.75	122.3	211.5
沸点/℃	201.2	279	346

 
（4）二水合草酸镓的结构式如图所示，其中镓原子的配位数是______，草酸根离子中的原子杂化轨道类型是___________。
（5）砷化镓的立方晶胞如图所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为________g/cm³（设N_A为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可）。
。