GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：
（1）基态As原子核外电子排布式为[Ar]___，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是___（填标号）。

A．

B．

C．[Ne]

D．

（2）8一羟基喹啉铝（分子式C₂₇H₁₈AlN₃O₃）用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH₄与（8一羟基喹啉）合成。LiAlH₄中阴离子的空间构型为____；所含元素中电负性最大的是___（填元素符号），C、N、O的杂化方式依次为____、_____和____。
（3）已知下列化合物的熔点：

化合物	AlF3	GaF3	AlCl3
熔点/°C	1040	1000	194

 
①表中卤化物的熔点产生差异的原因是_____。
②熔融AlCl₃时可生成具有挥发性的二聚体Al₂Cl₆，二聚体Al₂Cl₆的结构式为____；其中Al的配位数为____。
（4）GaAs的晶胞结构如图所示，其晶胞参数为apm。

①紧邻的As原子之间的距离为x，紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则__。
②设阿伏加德罗常数的值为N_A，则GaAs的密度是___g·cm^一3（列出计算表达式）。