高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：①SiO2+2CSi+2CO↑、②Si+3HClHSiCl3+H2、③HSiCl3

题干

高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：
①SiO₂+2C

Si +2CO↑、②Si+3HCl

HSiCl₃+H₂、③HSiCl₃+H₂

Si+3X，反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷(HSiCl₃)的沸点是31.8℃。下列有关说法不正确的是

A．反应③中X的化学式为HCl

B．三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成

C．三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为1∶3

D．反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅

上一题下一题 0.65难度单选题更新时间:2019-06-20 07:49:32

小学学科试题库

初中学科试题库

高中学科试题库