题干
霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中，例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型，研究半导体内载流子浓度的变化等．在霍尔效应实验中，如图所示，宽ab为1 cm、长ad为4 cm、厚ae为1.0×10－3cm的导体，沿ad方向通有3 A的电流，当磁感应强度B＝1.5 T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时，产生了1.0×10－5V的霍尔电压，(已知导体内定向移动的自由电荷是电子)则下列说法正确的是
A．在导体的上表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝ ×10－3m/s |
| B．在导体的前表面聚集自由电子，电子定向移动的速率v＝×103m/s |
| C．在其它条件不变的情况下，增大ad的长度，可增大霍尔电压 |
| D．每立方米的自由电子数为n＝2.8×1029个 |
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