用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件，E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流，同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场，电流和磁感应强度B的方向如图所示。若

题干

用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件，E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流，同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场，电流和磁感应强度B的方向如图所示。若半导体可自由移动电荷为正电荷，M、N间产生的电势差为U_H。下列说法正确的是

A．N板电势高于M板电势

B．N板电势低于M板电势

C．只增大磁感应强度B，则U_H变大

D．只增大通入霍尔元件的电流I，则U_H变大

上一题下一题 0.65难度多选题更新时间:2019-01-29 06:37:25

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