1.综合题- (共1题)
1.
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。

(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。

(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
2.单选题- (共3题)
2.
下列有关物质性质的比较顺序中,不正确的是 ( )
A.热稳定性:HF<HCl<HBr<HI | B.微粒半径:K+>Na+>Mg2+>Al3+ |
C.酸性:HClO4>H2SO4>H3PO4>H2SiO3 | D.第一电离能:Cl>P>S>Si |
3.
氯仿(CHCl3)常因保存不慎而被氧化,产生剧毒物光气(COCl2)2CHCl3+O2→2HCl+2COCl2.下列说法不正确的有


A.CHCl3分子的空间构型为正四面体 |
B.COCl2分子中中心C原子采用sp2杂化 |
C.COCl2分子中所有原子的最外层电子都满足8电子稳定结构 |
D.使用前可用硝酸银稀溶液检验氯仿是否变质 |
试卷分析
-
【1】题量占比
综合题:(1道)
单选题:(3道)
-
【2】:难度分析
1星难题:0
2星难题:0
3星难题:0
4星难题:1
5星难题:0
6星难题:3
7星难题:0
8星难题:0
9星难题:0