1.选择题- (共1题)
2.填空题- (共2题)
2.
请完成下列各题:
(1)前4周期元素中,基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有________种。
(2)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。在GaN晶体中,每个Ga原子与________个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为____________。在四个晶体类型中,GaN属于________晶体。
(3)在极性分子NCl3(遇水强烈水解)中,N原子的化合价为-3价,Cl原子的化合价为+1价,请推测NCl3水解的主要产物是________________(填化学式)。
(1)前4周期元素中,基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有________种。
(2)第ⅢA、ⅤA族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。在GaN晶体中,每个Ga原子与________个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为____________。在四个晶体类型中,GaN属于________晶体。
(3)在极性分子NCl3(遇水强烈水解)中,N原子的化合价为-3价,Cl原子的化合价为+1价,请推测NCl3水解的主要产物是________________(填化学式)。
3.
工业上对海水资源综合开发利用的部分工艺流程如下图所示。

(1)电解饱和食盐水常用离子膜电解槽和隔膜电解槽,离子膜和隔膜均允许通过的分子或离子是_______。电解槽中的阳极材料为_________________。
(2)本工艺流程中先后制得Br2、CaSO4和Mg(OH)2,能否按Br2、Mg(OH)2、CaSO4的顺序制备_______?原因是____________________________。
(3)膜在四氧化碳中的溶解度比在水中大得多,四氧化碳与水不互溶,故可用于萃取溴,但在上述工艺中却不用四氧化碳,原因是______________________________________。

(1)电解饱和食盐水常用离子膜电解槽和隔膜电解槽,离子膜和隔膜均允许通过的分子或离子是_______。电解槽中的阳极材料为_________________。
(2)本工艺流程中先后制得Br2、CaSO4和Mg(OH)2,能否按Br2、Mg(OH)2、CaSO4的顺序制备_______?原因是____________________________。
(3)膜在四氧化碳中的溶解度比在水中大得多,四氧化碳与水不互溶,故可用于萃取溴,但在上述工艺中却不用四氧化碳,原因是______________________________________。
试卷分析
-
【1】题量占比
选择题:(1道)
填空题:(2道)
-
【2】:难度分析
1星难题:0
2星难题:0
3星难题:0
4星难题:0
5星难题:0
6星难题:1
7星难题:0
8星难题:1
9星难题:0