1.单选题- (共4题)
1.
将长为L的导线弯成六分之一圆弧,固定于垂直于纸面向外、大小为B的匀强磁场中,两端点A、C连线竖直,如图所示.若给导线通以由A到C、大小为I的恒定电流,则导线所受安培力的大小和方向是( )


A.ILB,水平向左 | B.ILB,水平向右 |
C.![]() | D.![]() |
2.
将一个质量很小的金属圆环用细线吊起来,在其附近放一块条形磁铁,磁铁的轴线与圆环在同一个平面内,且通过圆环中心,如图所示,当圆环中通以顺时针方向的电流时,从上往下看( )


A.圆环顺时针转动,靠近磁铁 |
B.圆环顺时针转动,远离磁铁 |
C.圆环逆时针转动,靠近磁铁 |
D.圆环逆时针转动,远离磁铁 |
3.
如图所示,竖直放置的两块很大的平行金属板a、b,相距为d,a、b间的电场强度为E,今有一带正电的微粒从a板下边缘以初速度v0竖直向上射入电场,当它飞到b板时,速度大小不变,而方向变为水平方向,且刚好从高度也为d的狭缝进入bc区域,bc区域的宽度也为d,所加电场的场强大小为E,方向竖直向上,磁感应强度方向垂直纸面向里,磁场磁感应强度大小等于
,重力加速度为g,则下列关于微粒运动的说法正确的是( )



A.微粒在ab区域的运动时间为![]() |
B.微粒在bc区域中做匀速圆周运动,圆周半径r=2d |
C.微粒在bc区域中做匀速圆周运动,运动时间为![]() |
D.微粒在ab、bc区域中运动的总时间为![]() |
4.
某空间有一圆柱形匀强磁场区域,磁感应强度大小为B.该区域的横截面的半径为R,磁场方向垂直于横截面.一质量为m、电荷量为q(q>0)的粒子以某一速率沿横截面的某直径射入磁场,离开磁场时速度方向偏离入射方向74°.不计重力,则初速度v0大小为(已知sin 37°=
)( )

A.![]() | B.![]() | C.![]() | D.![]() |
2.多选题- (共4题)
5.
如图所示,两个倾角分别为30°和60°的光滑斜面固定于水平面上,并处于方向垂直纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场中.两个质量均为m、带电荷量均为+q的小滑块甲和乙分别从两个斜面顶端由静止释放,运动一段时间后,两小滑块都将飞离斜面,在此过程中( )


A.甲滑块飞离斜面瞬间的速度比乙滑块飞离斜面瞬间的速度大 |
B.甲滑块在斜面上运动的时间比乙滑块在斜面上运动的时间短 |
C.甲滑块在斜面上运动的位移与乙滑块在斜面上运动的位移大小相同 |
D.两滑落块在斜面上运动的过程中,重力的平均功率相等 |
6.
如图所示,在平板PQ上有一匀强磁场,磁场方向垂直纸面向里.某时刻有a、b、c三个电子(不计重力)分别以大小相等、方向如图所示的初速度va、vb和vc经过平板PQ上的小孔O射入匀强磁场.这三个电子打到平板PQ上的位置到小孔O的距离分别是la、lb和lc,电子在磁场中运动的时间分别为ta、tb和tc.整个装置放在真空中,则下列判断正确的是( )


A.la=lc<lb | B.la<lb<lc |
C.ta<tb<tc | D.ta>tb>tc |
7.
如图所示,带有正电荷的A粒子和B粒子同时从匀强磁场的边界上的P点以等大的速度,以与边界成30°和60°的夹角射入磁场,又都恰好不从另一边界飞出,设边界上方的磁场范围足够大,下列说法中正确的是( )


A.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为![]() |
B.A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比为![]() |
C.A、B两粒子的m/q之比为![]() |
D.A、B两粒子的m/q之比为![]() |
8.
如图所示,在x轴上的上方有沿y轴负方向的匀强电场,电场强度为E,在x轴下方的等腰直角三角形CDM区域内有垂直于xOy平面向外的匀强磁场,磁感应强度为B,其中C、D在x轴上,它们到原点O的距离均为a.现将质量为m、带电荷量为+q的粒子从y轴上的P点由静止释放,设P点到O点的距离为h,不计重力作用与空气阻力的影响.下列说法正确的是( )


A.若h=![]() |
B.若h=![]() |
C.若h=![]() |
D.若h=![]() |
3.解答题- (共2题)
9.
如图所示,在水平地面上固定一对与水平面夹角为α的光滑平行导电轨道,轨道间的距离为l,两轨道底端的连线与轨道垂直,顶端接有电源.将一根质量为m的直导体棒ab放在两轨道上,且与两轨道垂直.已知轨道和导体棒的电阻及电源的内电阻均不能忽略,通过导体棒的恒定电流大小为I,方向由a到b,图乙为图甲沿a→b方向观察的平面图.若重力加速度为g,在轨道所在空间加一竖直向上的匀强磁场,使导体棒在轨道上保持静止.

(1)请在图乙所示的平面图中画出导体棒受力的示意图;
(2)求出磁场对导体棒的安培力的大小;
(3)如果改变导轨所在空间的磁场方向,试确定使导体棒在轨道上保持静止的匀强磁场磁感应强度B的最小值的大小和方向.

(1)请在图乙所示的平面图中画出导体棒受力的示意图;
(2)求出磁场对导体棒的安培力的大小;
(3)如果改变导轨所在空间的磁场方向,试确定使导体棒在轨道上保持静止的匀强磁场磁感应强度B的最小值的大小和方向.
10.
在直径为d的圆形区域内存在着匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直于圆面指向纸外.一电荷量为q、质量为m的带正电粒子,从磁场区域的一条直径AC上的A点沿纸面射入磁场,其速度方向与AC成α=15°角,如图所示.若此粒子在磁场区域运动的过程中,速度的方向一共改变了90°.重力可忽略不计,求:

(1)该粒子在磁场区域内运动所用的时间t;
(2)该粒子射入时的速度大小v.

(1)该粒子在磁场区域内运动所用的时间t;
(2)该粒子射入时的速度大小v.
4.实验题- (共1题)
11.
(题文)霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的P,Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M,N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k
,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.

(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与______(填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出UH—I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10-3V·m·A-1·T-1(保留2位有效数字).


(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1,S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向________(填“a”或“b”),S2掷向________(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件________和________(填器件代号)之间.


(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与______(填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出UH—I图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×10-3V·m·A-1·T-1(保留2位有效数字).


(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1,S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向________(填“a”或“b”),S2掷向________(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件________和________(填器件代号)之间.

试卷分析
-
【1】题量占比
单选题:(4道)
多选题:(4道)
解答题:(2道)
实验题:(1道)
-
【2】:难度分析
1星难题:0
2星难题:0
3星难题:0
4星难题:1
5星难题:0
6星难题:6
7星难题:0
8星难题:4
9星难题:0