云南省华宁一中2018届高三复习第六次质量检测 高三物理试题

适用年级:高三
试卷号:182742

试卷类型:高考模拟
试卷考试时间:2018/5/20

1.选择题(共2题)

1.我国四大地理区域划分的主要依据是(    )

①地理位置    ②自然地理   ③人文地理

2.我国四大地理区域划分的主要依据是(    )

①地理位置    ②自然地理   ③人文地理

2.单选题(共3题)

3.
将两个质量均为的小球用细线相连后,再用细线悬挂于点,如图所示.用力拉小球,使两个小球图都处于静止状态,且细线与竖直方向的夹角保持,则的最小值为(  )
A.
B.
C.
D.
4.
如图,可视为质点的小球位于半圆柱体左端点A的正上方某处,以初速度v0水平抛出,其运动轨迹恰好能与半圆柱体相切于B点。过B点的半圆柱体半径与水平方向的夹角为30°,则半圆柱体的半径为(不计空气阻力,重力加速度为g )(    )
A.
B.
C.
D.
5.
如图所示,某种带电粒子由静止开始经电压为U1的电场加速后,射入两水平放置、电势差为U2的两导体板间的匀强电场中,带电粒子沿平行于两板的方向从两板正中间射入,穿过两板后又垂直于磁场方向射入边界线竖直的匀强磁场中,则粒子射入磁场和射出磁场的MN两点间的距离d随着U1U2的变化情况为(不计重力,不考虑边缘效应) (  )
A.dU1变化,dU2无关
B.dU1无关,dU2变化
C.dU1变化,dU2变化
D.dU1无关,dU2无关

3.多选题(共2题)

6.
如图所示,足够长粗糙斜面固定在水平面上,物块a通过平行于斜面的轻绳跨过光滑轻滑轮与物块b相连,b的质量为m.开始时,a,b均静止且a刚好不受斜面摩擦力作用.现对b施加竖直向下的恒力F,使a,b做加速运动,则在b下降h高度过程中( )
A.a的加速度为
B.a的重力势能增加mgh
C.绳的拉力对a做的功等于a机械能的增加
D.F对b做的功与摩擦力对a做的功之和等于a,b动能的增加
7.
一物体静止在水平地面上,在竖直向上的拉力F的作用下向上运动。不计空气阻力,物体的机械能E与上升高度h的关系如图所示,其中曲线上A点处的切线斜率最大,h2~h3的图线为平行于横轴的直线。下列说法正确的是
A.在h1处物体所受的拉力最大
B.在h2处物体的动能最大
C.h2~h3过程中合外力做的功为零
D.0~h2过程中拉力F始终做正功

4.解答题(共2题)

8.
如图所示,在倾角为θ=30°的斜面上,固定一宽L=0.25 m的平行金属导轨,在导轨上端接入电源和滑动变阻器R.电源电动势E=12 V,内阻r=1 Ω,一质量m=20 g的金属棒ab与两导轨垂直并接触良好.整个装置处于磁感应强度B=0.80 T、垂直于斜面向上的匀强磁场中,金属棒的电阻R1=1 Ω(导轨电阻不计).金属导轨是光滑的,要保持金属棒在导轨上静止,取g=10 m/s2,求:

(1)金属棒所受到的安培力的大小;
(2)通过金属棒的电流的大小;
(3)滑动变阻器R接入电路中的阻值.
9.
如图所示,内壁光滑的气缸分为高度相等的AB、BC两部分。AB、BC,两部分中各有厚度和质量均可忽略的绝热活塞a、b,横截面积Sa=2Sb,活塞a上端封闭氧气,a、b间封闭氮气,活塞b下端与大气连通,气缸顶部导热,其余部分均绝热.活塞a离气缸顶的距离是AB高度的·活塞b在BC的正中间.初始状态平衡,大气压强为p0,外界和气缸内气体温度均为27℃.

①通过电阻丝缓慢加热氯气,求活塞b刚降至底部时氮气的温度.
②通过电阻丝缓慢加热氮气至750K,求平衡后氧气的压强.

5.实验题(共3题)

10.
在一次课外活动中,某同学用图甲所示装置测量放在水平光滑桌面上铁块A与金属板B间的动摩擦因数。已知铁块A的质量mA=1 kg,金属板B的质量mB=0.5 kg。用水平力F向左拉金属板B,使其一直向左运动,稳定后弹簧秤示数的放大情况如图甲所示,则AB间的摩擦力Ff=______N,AB间的动摩擦因数μ=_______。(g取10 m/s2)。该同学还将纸带连接在金属板B的后面,通过打点计时器连续打下一系列的点,测量结果如图乙所示,图中各计数点间的时间间隔为0.1 s,可求得拉金属板的水平力F=________N
11.
一列沿x轴正方向传播的简谐横波在t=0时刻的波形如图所示,波上P、Q两点的位移均为y=3cm,已知任意振动质点连续两次经过平衡位置的时间间隔为0.5S.下列说法中正确的是_____。
A.波速为2m/s
B.经过0.5s,P点通过的路程为12cm
C.P、Q在振动的过程中的任一时刻,位移都相同
D.Q点在t=0.25s时除好位于平衡位置
E.P点的振动公式为
12.
霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展.如图1所示,在一矩形半导体薄片的PQ间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在MN间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UHk,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数.某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数.

(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图1所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与______(填“M”或“N”)端通过导线相连.
(2)已知薄片厚度d=0.40 mm,该同学保持磁感应强度B=0.10 T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示.根据表中数据在图2中画出UHI图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为______×103V·m·A1·T1(保留2位有效数字).


(3)该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图3所示的测量电路,S1,S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向________(填“a”或“b”),S2掷向________(填“c”或“d”).为了保证测量安全,该同学改进了测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中.在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件________和________(填器件代号)之间.
试卷分析
  • 【1】题量占比

    选择题:(2道)

    单选题:(3道)

    多选题:(2道)

    解答题:(2道)

    实验题:(3道)

  • 【2】:难度分析

    1星难题:0

    2星难题:0

    3星难题:0

    4星难题:2

    5星难题:0

    6星难题:6

    7星难题:0

    8星难题:2

    9星难题:0